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英特爾發(fā)布144層QLC固態(tài)盤(pán)670p

發(fā)布時(shí)間:2021-03-03

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英特爾固態(tài)盤(pán)670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù),每裸片容量為128GB,單盤(pán)容量為512GB、1TB和2TB三個(gè)版本,

與上一代固態(tài)盤(pán)相比,英特爾固態(tài)盤(pán)670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時(shí)延降低多達(dá)50%,耐久性提升了20%。

670p采用的是M.2 80毫米外形規(guī)格,是輕薄型筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)理想的存儲(chǔ)解決方案。

670p同時(shí)針對(duì)低隊(duì)列深度和混合工作負(fù)載進(jìn)行了調(diào)優(yōu),實(shí)現(xiàn)了性能、成本和功耗的恰當(dāng)平衡。

英特爾的QLC固態(tài)盤(pán)基于浮柵技術(shù)所打造,數(shù)據(jù)保持力是這一技術(shù)的一大關(guān)鍵性競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。英特爾固態(tài)盤(pán)670p的全新單元配置還以合理的價(jià)格為日常計(jì)算需求優(yōu)化了大容量存儲(chǔ),且有助于加快固態(tài)盤(pán)的普及。

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