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983 DCT NVME | 型號 | MZ-QLB1T9NE | MZ-1LB1T9NE | ||
容量1 | 1.92TB | 1.92TB | |||
外形 | 2.5英寸7MMT(U.2) | M.2(22110) | |||
尺寸(長X寬X高) | 較大100.2*69.85*6.8(mm) | 較大110*22.0*3.8(mm) | |||
重量 | 較大70g | 較大20g | |||
NAND類型 | 三星V-NAND | ||||
接口 | PCle Gen 3.0x4,NVME 1.2b | ||||
性能2 | 順序讀?。?28KB) | 高達(dá)3,400MB/S | 高達(dá)3,000MB/S | ||
順序?qū)懭耄?28KB) | 高達(dá)2,200MB/S | 高達(dá)1,430MB/S | |||
隨機(jī)讀?。?KB,QD32) | 高達(dá)580,000 IOPS | 高達(dá)480,000 IOPS | |||
隨機(jī)寫入(4KB,QD32) | 高達(dá)52,000 IOPS | 高達(dá)42,000 IOPS | |||
Q0S讀?。?9.99%,4KB,QD1) | up to 0.2ms | up to 0.2ms | |||
Q0S寫入(99.99%,4KB,QD1) | up to 0.09ms | up to 0.08ms | |||
數(shù)據(jù)加密支持 | AES 256-bit 硬件加密引擎 | ||||
平均功耗3 | 工作時(shí)讀取(典型值)jin為8.7W,工作時(shí)寫入(典型值)jin為10.6W,空閑時(shí)jin為4.0W | 工作時(shí)讀取(典型值)jin為7.6W,工作時(shí)寫入(典型值)jin為8.0W,空閑時(shí)jin為2.6W | |||
允許電壓 | 12.0V±8% | 3.3V±5% | |||
MTBF4 | 2,000,000小時(shí) | ||||
UBER5 | 1.00E-17 | ||||
工作溫度 | 0-70℃ | ||||
防震 | 1500G,持續(xù)時(shí)間0.5毫秒,半正弦波 | ||||
保修 | 5年有限保修或0.8DWPD,以先到者為準(zhǔn)(*DWPD:每天整盤寫入次數(shù)) |